金冠电气：公司聚集IGBT等大功率半导体封装用的高端氮化铝和氮化硅陶瓷基板、直接键合铜DBC和活性金属钎焊AMB覆铜基板产品研制现在尚在研制阶段

  同花顺300033）金融研究中心03月04日讯，有投资者向金冠电气发问， 请问公司正在研制的IGBT基板到了那个程度？有交给下流客户验证没？谢谢

  公司答复表明，敬重的投资者您好! 公司聚集IGBT等大功率半导体封装用的高端氮化铝和氮化硅陶瓷基板、直接键合铜DBC和活性金属钎焊AMB覆铜基板产品研制，现在尚在研制阶段。直接键合铜DBC和活性金属钎焊AMB覆铜基板因载流量大、耐高温、导热性好及热线胀系数与半导体芯片更匹配等优异功能，在IGBT等大功率半导体器材的封装中得到了广泛的使用。详细研制发展请重视公司在指定信息揭露发表媒体发表的定时陈述和暂时公告。感谢您的重视！

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  已有5家主力组织发表2023-12-31陈述期持股数据，持仓量总计43.81万股，占流转A股0.52%

  近期的均匀本钱为12.71元。该股资金方面遭到商场重视，多方气势较强。该公司运营状况尚可，暂时未获得大都组织的明显认同，后续可持续重视。

  限售解禁：解禁5111万股(估计值)，占总股本份额37.41%，股份类型：首发原股东限售股份。(本次数据依据公告推理而来，实在的状况以上市公司公告为准)

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  不良信息告发电话告发邮箱：增值电信业务经营答应证：B2-20090237