7 月 6 日音讯 三星电子周一宣告，发现了一种全新半导体资料 “无定形氮化硼 (amorphous boron nitride)，简称a-BN”，并表明有望推进下一代半导体芯片的加快开展。
近年来，三星 SAIT一直在研讨二维（2D）资料具有单原子层的晶体资料的研讨和开发。详细而言，该研讨所一直致力于石墨烯的研讨和开发，并在该范畴取得了突破性的研讨成果，例如开发新的石墨烯晶体管以及出产大面积单晶晶片的新方法。石墨烯。除了研讨和开发石墨烯外，SAIT还致力于加快资料的商业化。
“为了增强石墨烯与根据硅的半导体工艺的兼容性，应在低于 400°C 的温度下在半导体衬底上进行晶圆级石墨烯成长。” SAIT的石墨烯项目负责人兼首席研讨员 Shin Hyeon-Jin Shin 表明。“咱们还在不断尽力，将石墨烯的使用场景规模扩展到半导体以外的范畴。”
新发现的资料称为无定形氮化硼（a-BN），由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。虽然非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯，这中心还包含以六边形结构摆放的硼和氮原子，但实际上 a-BN 的分子结构使其与白色石墨烯具有共同的差异。
无定形氮化硼具有 1.78 的同类最佳的超低介电常数，具有强壮的电气和机械性能，能够用作互连阻隔资料以最大极限地削减电搅扰，还证明了该资料能够在仅 400°C 的低温下以晶圆级成长。因而，估计无定形氮化硼将大规模的使用于比如 DRAM 和 NAND 解决方案的半导体，尤其是在用于大型服务器的下一代存储器解决方案中。
据了解，SAIT副总裁兼无机资料实验室负责人Park Seongjun Park表明：“最近，人们对2D资料及其衍生的新资料的爱好持续不断的添加。可是，将资料使用于现有的半导体工艺任旧存在许多应战，咱们将持续开发新资料来引领半导体范式的改变。”
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