氮化铝 (AlN) 基板的优势

  氮化铝 (AlN) 基板兼具极高的导热性 (170-230W/mK) 和绝缘功能。AlN 基板能成为需求严厉条件的电子使用的最佳解决方案，例如功率模块（MOSFET、IGBT）、用于冷却和维护电路的 LED 封装、封装和模块。氮化铝 (AlN) 基板的优势有：

  与硅 （Si) 的热膨胀系数类似。 这有助于完成硅芯片和热循环的高可靠性。

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